A jelentések szerint a Lehigh Egyetem, a West Chester Egyetem, az Osaka Egyetem és az Amszterdami Egyetem tudósai kiigazítást dolgoztak ki. Új technológia a LED színéhez.
Volkmar Dierolf, a Lehigh Egyetem Fizikai Iskola ismert szakértője és elnöke részt vett a projekt kutatásában és fejlesztésében. Az új technológia azt mondja, hogy előkészíti a monolit integrációt, lehetővé téve az izzó egyszerű színosztályozását. Ezzel a technológiával a kereskedelmi LED-ek fényes fehér és kényelmesebb meleg színek között állíthatók be.
A kutatócsoport a GaN-alapú LED-ek színbeállításának lehetőségét írta le egyszerűen azzal, hogy megváltoztatja az idő sorrendjét, amelyben a működési áramot a készülékhez szállítják. Érdemes megjegyezni, hogy ez a technológia kompatibilis a LED-ekkel, amelyek a kereskedelmi szilárdtest LED-es világítótestek magját képezik.
A mai aktív LED-kijelzőkben a 3-4, egymástól elkülönített LED-ek különböző színeket hoznak létre, és létrehozzák a teljes színspektrum előállításához szükséges alapszínt.
Dierolf azt mondta, hogy egyetlen LED képes színárnyalatot biztosítani, és úgy találták, hogy egyetlen, egyetlen ritkaföldfém-ion (Eu) adalékkal ellátott egyetlen GaN LED-struktúrából piros, zöld és kék fényt kaphatnak. Más szavakkal, a kutatócsoport egyetlen GaN-alapú LED-féle színbeállíthatóságot ért el az atomerőanyag kibocsátási jellemzőinek manipulálásával.
Mitchell rámutatott, hogy ez a tanulmány (több gerjesztési állapottal, ugyanazon adalékanyagot használva, mint a fő cél) nem korlátozódik a GaN: germanium rendszerekre, és alkalmazása sokkal gyakoribb. A tanulmány eredményei egy teljesen új, egyoldalú dopingterületet nyitnak meg a félvezetőkben, amelyek egyszerű befecskendezőáramú hangolással érhetők el.
A Dierolf úgy véli, hogy azok, akik kényelmesebb fehér fényt szeretnének kapni a LED-ekből, hasznosítani fogják ezt a technológiát. Tekintettel a technológia azon képességére, hogy magasabb pixel-sűrűséget alkalmazzon, a Micro LED kijelzők fejlesztését is segíti.
Úgy tűnik, hogy ez a tanulmány az ACS Photonics folyóiratban jelent meg, amelynek címe "Színes Tunablilitás GaN LED-ekben az Atom emissziós manipuláció alapján". Jelenlegi befecskendezés).