Speciális létesítmények Hatékony gyártásamely a germánium diódákra (Ge tubusok) és szilíciumdiódákra (Si csövek) oszlik a felhasznált félvezető anyagok szerint. Különböző USÁK szerint fel lehet osztani detektordiódát, egyenirányító diódát, stabil diódát, kapcsolódiódát és így tovább. A magszerkezet szerint pont-érintkező diódákra, felületérintkező diódákra és síkdiódákra osztható. A pontérintkező dióda egy nagyon vékony huzalnyomás a félvezető lemez felületén, amely világos és tiszta, impulzusárammal, megérintette a drótvéget, amely szilárdan szinterelődik a chiprel együtt, ami pn csatlakozást hoz létre. A pontkapcsolat miatt csak kis áram (legfeljebb néhány tíz milliampér) megengedett, ami alkalmas nagyfrekvenciás kisáramú áramkörökre, mint például a rádiófelismerés.
A felületi érintkezési dióda "PN csomópontja" nagyobb, és nagyobb áramot (néhány-néhány tíz) tesz lehetővé, amelyet elsősorban a váltakozó áram egyenáramú "egyenirányító" áramkörré alakítanak.
A planáris dióda egy speciális szilikon dióda, amely nemcsak nagy áramot képes átadni, hanem stabil és megbízható teljesítményt is biztosít, amelyet kapcsolókban, impulzusokban és nagyfrekvenciás áramkörökben használnak.
A diódák működése.
A kristálydiód a p-típusú félvezető és az n típusú félvezető által alkotott pn kapcsolódás, amely a felület mindkét oldalán térköltségréteget képez, és önálló elektromos mezőt építenek. Ha nincs külső feszültség, a pN csomópont és az önbe épített elektromos mező között a hordozó koncentrációjának különbsége okozta drift áram egyenlő az elektromos egyensúlyi állapotgal.
Ha a külső feszültség eltolódik, a külső elektromos tér és az önálló elektromos mező közötti kölcsönhatás növeli a hordozó diffúziós áramát és előremenő áramot eredményez.
Fordított feszültség-eltolás esetén a külső elektromos mező és az önállóan épített elektromos mező tovább erősödik, és az ellenirányú feszültségtől független fordulatszám-áram I0 egy bizonyos fordított feszültségtartományban van kialakítva.
Ha elég nagy a fordított feszültséggel, akkor a térbeli töltő rétegben lévő pn elágazás elektromos mezőintenzitása eléri a fuvarozó szorzási folyamat kritikus értékét, nagyszámú elektron-lyukpárt eredményez, ami nagy visszirányú lebontási áramértéket eredményez, amit a dióda lebomlási jelenségnek neveznek.
A dióda vezetőképessége.
A dióda legfontosabb jellemzője az egyirányú vezetőképesség. Az áramkörben az áram csak a dióda pozitív pólusából, a negatív kiáramlásból származhat. A diódák előre és hátra fordított jellemzőit egyszerű kísérletek mutatják be.