Speciális létesítmények Hatékony gyártásAz Egyesült Nemzetek Minamata Egyezménye &; A világ 128 országának aláírása hivatalosan 2017. augusztusában lépett hatályba Kínában. A szerződés 2020-tól kifejezetten tiltja a különféle higanytartalmú termékek gyártását, behozatalát és kivitelét, valamint tilos a hagyományos higanylámpák gyártása és értékesítése. . A jelenleg széles körben használt UV higanylámpák helyettesítésére új, környezetbarát és energiatakarékos UV szilárdtest-fényforrások kifejlesztése sürgős szükségessé vált a sterilizálás, a fertőtlenítés és a kikeményedés területén. Az AlGaN harmadik generációs félvezető anyagon alapuló ultraibolya LED-ek nyilvánvalóan elpusztító hatást gyakorolnak a tomboló új koronavírusra, amely nagy figyelmet keltett otthon és külföldön az élet minden területén.
Az érett kék LED-ekkel ellentétben az UV LED-ek alapanyagának alacsonyabb a tartalma és magasabb az Al-tartalma, ami az epitaxiális réteget nagy hibasűrűséggel, alacsony lyukkoncentrációval látja el a p-AlGaN anyagban, erős polarizációs hatást és áramot hordozó problémákat okoz mivel a kiegyensúlyozatlan részszállítás rendkívül kiemelkedő. Ezért az ultraibolya LED-ek fényhatékonysága még mindig jóval alacsonyabb, mint az érett kék LED-eké. Ha az emissziós hullámhossz alacsonyabb, mint 370 nm, az ultraibolya LED a fényhatékonyság hirtelen csökkenésének problémájával néz szembe, amely a legnagyobb akadályt képezi a csúcskategóriás alkalmazásban.
A fenti problémákra válaszul a Guangdongi Tudományos Akadémia Félvezető Intézetének Advanced Materials Platformja szisztematikusabb és mélyrehatóbb műszaki kutatást és fejlesztést indított el az UV LED-ek két szempontból: anyagnövelés és készüléktervezés terén.
Először is, a MOCVD finom növekedési mód vezérlési technológiájának alkalmazása sikeresen elkészítette a kiváló minőségű AlGaN anyagokat és a magas belső kvantumhatékonyságú AlGaN kvantumkutakat; ugyanakkor a kutatók polarizációs terepi vezérléstechnikával és energiasáv-tervezéssel lerövidítették a többelemes ötvözet p-AlInGaN / AlGaN ötvözetét. , és a magas belső kvantumhatékonyságú UV LED-eszközöket sikeresen fejlesztették.
Az eredmények azt mutatják, hogy az SPSL-EBL javíthatja az UV LED-készülékek hordozótranszport-jellemzőit és csökkentheti a készülék bekapcsolási feszültségét, így a 368 nm fénykibocsátó hullámhosszú UV-LED-készülékek fényhatékonysága növelhető 101,6% a hagyományos struktúrához képest. Ez a kutatás magasabb lesz A hatékony, teljesen szilárd állapotú UV fényforrások kutatása és fejlesztése új utat nyit meg.
A fenti munka eredményeinek egy részét nemrégiben publikálták a nemzetközi hiteles folyóiratban &, Journal of Materials Chemistry C &.